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BLT11

更新时间: 2024-01-08 19:09:10
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 486K
描述
NPN 2GHz RF POWER TRANSISTOR

BLT11 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-PRDB-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):0.5 A
基于收集器的最大容量:4 pF集电极-发射极最大电压:8 V
配置:SINGLE最高频带:L BAND
JESD-30 代码:O-PRDB-F4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:RADIAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON

BLT11 数据手册

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