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BLT14

更新时间: 2024-02-08 11:40:44
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 31K
描述
RF Power Transistors for UHF

BLT14 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.78
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:8 pF
集电极-发射极最大电压:8 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:MS-012AAJESD-30 代码:R-PDSO-G8
元件数量:1端子数量:8
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):1 W最小功率增益 (Gp):6 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):1800 MHz
Base Number Matches:1

BLT14 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
Line-ups  
RF Power Transistors for UHF  
1996 Feb 12  
File under Discrete Semiconductors, SC08b  

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