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BLH3355

更新时间： 2024-01-03 23:48:16

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上海贝岭 - BELLING		晶体晶体管射频
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2页	88K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP

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BLH3355 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

BLH3355 数据手册

BLH3355

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP (BLH3355)

Description

ꢀNPN epitaxial silicon RF transistor for

microwave low-noise amplification

Features

ꢀLow noise and high gain bandwidth product

High power gain

ꢀ

Applications

ꢀ

UHF / VHF wide band amplifier

Structure

Size

ꢀPlanar type

ꢀChip size: 370µm ×370µm

ꢀChip thickness: 220±20µm.

ꢀElectrodes: Aluminum alloy

ꢀ

Backside metal: Au alloy

ꢀ

Pad size: φ100µm

ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

3.0

100

°C

P_tot

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

200

T_j

150

T_stg

−65 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_j= 25^oC unless otherwise specified

Symbol

I_CBO

Parameter

Test conditions

V_CB=10V, I_E=0mA

V_EB=1.0V, I_C=0mA

V_CE=10V, I_C=20mA

Min.

Typ.

Max.

1.0

Unit

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

µA

I_EBO

1.0

h_FE

120

250

http://www.belling.com.cn

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Total 2 Pages

8/18/2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLH3356	BELLING	获取价格	BLH3356
BLH3356B	BELLING	获取价格	BLH3356B
BLH335K112A062	CDE	获取价格	11.5 mΩ
BLH335K122A072	CDE	获取价格	13.5 mΩ
BLH335K701A052	CDE	获取价格	26 mΩ
BLH335K801A052	CDE	获取价格	25 mΩ
BLH335K901A042	CDE	获取价格	18.5 mΩ
BLH356K102C084	CDE	获取价格	5.5 mΩ
BLH356K112C124	CDE	获取价格	4.9 mΩ
BLH356K122C114	CDE	获取价格	5 mΩ