BGE788C

更新时间： 2024-02-18 07:42:26

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恩智浦 - NXP		射频和微波射频放大器微波放大器高功率电源
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7页	45K
描述
750 MHz, 34 dB gain push-pull amplifier

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BGE788C 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	功能数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	325 mA	技术：	HYBRID
Base Number Matches：	1

BGE788C 数据手册

BGE788C

Philips Semiconductors

750 MHz, 34 dB gain push-pull ampliﬁer

6. Package outline

Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes;

2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads

SOT115J

10 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

max.

min.

max.

UNIT

max.

4.15

3.85

0.51

0.38

44.75 8.2 6-32

44.25 7.8 UNC

mm 20.8 9.1

0.25 27.2 2.54 13.75 2.54 5.08 12.7 8.8

2.4 38.1 25.4 10.2 4.2

0.25 0.7 0.1 3.8

REFERENCES

EUROPEAN

PROJECTION

OUTLINE

VERSION

ISSUE DATE

IEC

JEDEC

JEITA

99-02-06

04-02-04

SOT115J

Fig 1. Package outline SOT115J

9397 750 14607

Product data sheet

Rev. 01 — 1 April 2005

4 of 7

1 2 345 6 7

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