BGE788C

更新时间： 2024-01-26 10:28:08

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恩智浦 - NXP		射频和微波射频放大器微波放大器高功率电源
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7页	45K
描述
750 MHz, 34 dB gain push-pull amplifier

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BGE788C 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	功能数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOT-115J
电源：	24 V	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大压摆率：	325 mA	技术：	HYBRID
Base Number Matches：	1

BGE788C 数据手册

BGE788C

Philips Semiconductors

750 MHz, 34 dB gain push-pull ampliﬁer

2. Pinning information

Table 2:

Pinning

Description

input

Simpliﬁed outline

Symbol

common

+V_B

1 3 5 7 9

common

output

3 7 8

sym095

3. Ordering information

Table 3:

Ordering information

Type number

Package

Name

Description

Version

BGE788C

rectangular single-ended package; aluminium ﬂange;

2 vertical mounting holes; 2 × 6-32 UNC and 2 extra

horizontal mounting holes; 7 gold-plated in-line leads

SOT115J

4. Limiting values

Table 4:

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max

Unit

V_B

supply voltage

V_i

RF input voltage

dBmV

°C

T_stg

T_mb

storage temperature

mounting base temperature

−40

−20

+100

°C

9397 750 14607

Product data sheet

Rev. 01 — 1 April 2005

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123 4 5 6 7

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