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BFU730F

更新时间： 2024-02-08 18:37:03

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	129K
描述
NPN wideband silicon germanium RF transistor

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BFU730F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	PLASTIC, FLATPAK-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	2.8 V
配置：	SINGLE	最高频带：	KA BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	标称过渡频率 (fT)：	55000 MHz
Base Number Matches：	1

BFU730F 数据手册

BFU730F

NPN wideband silicon germanium RF transistor

Rev. 1 — 29 April 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a

plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling

electrostatic sensitive devices.

Such precautions are described in the ANSI/ESD S20.20, IEC/ST 61340-5, JESD625-A or

equivalent standards.

1.2 Features and benefits

Low noise high gain microwave transistor

Noise figure (NF) = 0.8 dB at 5.8 GHz

High maximum power gain 18.5 dB at 5.8 GHz

110 GHz f_Tsilicon germanium technology

1.3 Applications

2nd LNA stage and mixer stage in DBS LNB’s

Low noise amplifiers for microwave communications systems

Ka band oscillators DRO’s

Low current battery equipped applications

Microwave driver / buffer applications

Wi-Fi / WLAN / WiMAX

GPS

RKE

AMR

ZigBee

LTE, cellular, UMTS

SDARS first stage LNA

FM radio

Mobile TV

Bluetooth

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