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BFG97

更新时间: 2024-09-30 22:31:55
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 121K
描述
NPN 5 GHz wideband transistor

BFG97 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-73
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.69
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:1 W
最大功率耗散 (Abs):1 W认证状态:Not Qualified
参考标准:CECC子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):5500 MHz
Base Number Matches:1

BFG97 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFG97  
NPN 5 GHz wideband transistor  
September 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC14  

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