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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BF493RLRM
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BF493RLRM

更新时间： 2024-09-24 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体小信号双极晶体管高压
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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BF493RLRM 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：1.6 pF
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：2 V
Base Number Matches：1

BF493RLRM 数据手册

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by BF493S/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
1
2
EMITTER  
3
MAXIMUM RATINGS  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
–350  
–350  
–6.0  
Unit  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
Watts  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
–350  
–350  
–6.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
Vdc  
nAdc  
Adc  
Adc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
—
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –250 Vdc)  
I
–10  
0.1  
CES  
EBO  
CBO  
CE  
Emitter Cutoff Current  
(V = –6.0 Vdc, I = 0)  
I
—
EB  
C
Collector Cutoff Current  
I
(V  
CB  
(V  
CB  
= –250 Vdc, I = 0, T = 25°C)  
= –250 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
—
—
–0.005  
–1.0  
E
E
A
A
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BF493RLRP MOTOROLA

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 		500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BF493S MOTOROLA

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 		High Voltage Transistor(PNP)
BF493S ONSEMI

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 		High Voltage Transistor(PNP Silicon)
BF493S/D ETC

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 		High Voltage Transistor PNP
BF493SG ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistor PNP Silicon
BF493SP ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 350V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
BF493SPK ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
BF493SPL ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI
BF493SPM1 ZETEX

获取价格

 		500mA, 350V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
BF493SPM1TA ZETEX

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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