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BD652

更新时间： 2024-02-07 00:46:35

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3页	94K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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BD652 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD652 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

BD646/648/650/652

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-60

TYP.

MAX

UNIT

BD646

BD648

BD650

BD652

-80

Collector-emitter

breakdown voltage

V_(BR)CEO

I_C=-30mA, I_B=0

-100

-120

V_CEsat-1

V_CEsat-2

V_BEsat

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

I_C=-3A ,I_B=-12mA

I_C=-5A ,I_B=-50mA

I_C=-3A ; V_CE=-3V

-2.0

-2.5

-3.0

-2.5

V_CB=-60V, I_E=0

V_CB=-40V, I_E=0 ;T_C=150ꢀ

-0.2

-2.0

BD646

V_CB=-80V, I_E=0

V_CB=-50V, I_E=0 ;T_C=150ꢀ

-0.2

-2.0

BD648

Collector cut-off current

BD650

I_CBO

V_CB=-100V, I_E=0

V_CB=-60V, I_E=0 ;T_C=150ꢀ

-0.2

-2.0

V_CB=-120V, I_E=0

V_CB=-70V, I_E=0 ;T_C=150ꢀ

-0.2

-2.0

BD652

BD646

V_CE=-30V, I_B=0

V_CE=-40V, I_B=0

V_CE=-50V, I_B=0

V_CE=-60V, I_B=0

V_EB=-5V; I_C=0

I_C=-3A ; V_CE=-3V

BD648

Collector cut-off current

BD650

I_CEO

-0.5

-5

BD652

Emitter cut-off current

DC current gain

I_EBO

h_FE

750

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

2.0

UNIT

ꢀ/W

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

123

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