BD652

更新时间： 2024-01-10 23:50:50

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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描述
PNP SILICON POWER DARLINGTONS

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BD652 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	750	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BD652 数据手册

BD646, BD648, BD650, BD652

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

TYPICAL CHARACTERISTICS

TYPICAL DC CURRENT GAIN

COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT

TCS135AB

TCS135AD

50000

10000

-2·0

t_p= 300 µs, duty cycle < 2%

I_B= I_C/ 100

T_C= -40°C

T_C= 25°C

T_C= 100°C

-1·5

-1·0

1000

100

T_C= -40°C

T_C= 25°C

V_CE

-3 V

t_p= 300 µs, duty cycle < 2%

T_C= 100°C

-0·5

-1·0

-10

-1·0

-10

I_C- Collector Current - A

Figure 1.

Figure 2.

BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT

TCS135AC

-3·0

-2·5

-2·0

-1·5

-1·0

-0·5

T_C= -40°C

T_C= 25°C

T_C= 100°C

I_B= I_C/ 100

t_p= 300 µs, duty cycle < 2%

-0·5

-1·0

-10

I_C- Collector Current - A

Figure 3.

MAY 1993 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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