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BD612

更新时间: 2024-01-04 05:51:10
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 131K
描述
PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS

BD612 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67最大集电极电流 (IC):4 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):85
JESD-609代码:e0最高工作温度:140 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):15 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

BD612 数据手册

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