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BD242AS

更新时间： 2024-02-20 06:30:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 142K
描述
3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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BD242AS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD242AS 数据手册

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ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 C unless otherwise noted)  
C
Characteristic  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
1
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
(I = 30 mAdc, I = 0)  
V
CEO  
Vdc  
BD241B, BD242B  
BD241C, BD242C  
80  
100  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = 60 Vdc, I = 0)  
I
0.3  
mAdc  
CEO  
BD241B, BD241C, BD242B, BD242C  
CE  
B
Collector Cutoff Current  
I
µAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 80 Vdc, V  
= 100 Vdc, V  
EB  
= 0)  
= 0)  
BD241B, BD242B  
BD241C, BD242C  
200  
200  
EB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
I
mAdc  
EBO  
1.0  
BE  
C
1
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
h
FE  
(I = 1.0 Adc, V  
= 4.0 Vdc)  
= 4.0 Vdc)  
25  
10  
C
CE  
CE  
(I = 3.0 Adc, V  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
(I = 3.0 Adc, I = 600 Adc)  
V
Vdc  
Vdc  
CE(sat)  
1.2  
1.8  
C
B
Base–Emitter On Voltage  
(I = 3.0 Adc, V = 4.0 Vdc)  
V
BE(on)  
C
CE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current Gain – Bandwidth Product  
2
f
T
MHz  
(I = 500 mAdc, V = 10 Vdc, f  
= 1 MHz)  
3.0  
20  
C
CE  
Small–Signal Current Gain  
(I = 0.5 Adc, V = 10 Vdc, f = 1 kHz)  
test  
h
fe  
C
CE  
1
2
Pulse Test: Pulse Width  
300 µs, Duty Cycle  
2.0%.  
f
T
= |h | • f .  
fe test  
2.0  
V
CC  
TURN-ON PULSE  
I
T
/I = 10  
C B  
R
L
1.0  
0.7  
0.5  
APPROX  
+ 11 V  
= 25°C  
J
V
t @ V  
= 30 V  
CC  
SCOPE  
in  
r
R
K
C
jd  
C
V
0
eb  
in  
EB(off)  
0.3  
t @ V  
CC  
= 10 V  
V
r
t
1
– 4.0 V  
s
t
3
APPROX  
+ 11 V  
t
7.0 ns  
1
0.1  
100  
t
500 µ  
2
0.07  
0.05  
t
@ V = 2.0 V  
BE(off)  
d
t
15 ns  
3
V
in  
0.03  
0.02  
DUTY CYCLE  
APPROX – 9.0 V  
2.0%  
t
2
0.03 0.05 0.07 0.1  
0.3  
0.5 0.7 1.0  
3.0  
TURN-OFF PULSE  
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit  
Figure 3. Turn–On Time  
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
123456

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