BCX56-16TA

更新时间： 2024-02-09 10:10:50

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关局域网
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6页	231K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89

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BCX56-16TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz

BCX56-16TA 数据手册

BCX 54 /55 /56

1.2

1.0

0.4

0.3

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

0.2

0.0001 0.001

0.01

0.1

0.0001 0.001

0.01

0.1

I_C, COLLECTOR CURRENT (A)

Fig. 3 Typical Base-Emitter Turn-On Voltage

vs. Collector Current

Fig. 4 Typical Collector-Emitter Saturation Voltage

vs. Collector Current

1.2

1.0

140

120

100

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0001 0.001

0.01

0.1

100

I_C, COLLECTOR CURRENT (A)

Fig. 5 Typical Base-Emitter Saturation Voltage

vs. Collector Current

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 6 Typical Capacitance Characteristics

300

250

200

150

100

= 5V

f = 100MHz

100

I_C, COLLECTOR CURRENT (mA)

Fig. 7 Typical Gain-Bandwidth Product

vs. Collector Current

4 of 6

www.diodes.com

October 2012

BCX 54 / 55 / 56

Datasheet Number: DS35369 Rev. 5 – 2

1 2 345 6

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与BCX56-16TA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCX5616TC	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PL	获取价格
BCX56-16-TP	MCC	暂无描述	获取价格
BCX56-16TR	CENTRAL	暂无描述	获取价格
BCX56-16TR13	CENTRAL	Transistor,	获取价格
BCX56-3L	Galaxy Microelectronics	80V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	获取价格
BCX56-6	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SOT-89	获取价格