BCX56-16TA

更新时间： 2024-01-30 20:54:00

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美台 - DIODES		晶体小信号双极晶体管开关局域网
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6页	231K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT89

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BCX56-16TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz

BCX56-16TA 数据手册

BCX 54 /55 /56

Electrical Characteristics (@ T_A= +25°C, unless otherwise specified.)

Characteristic

Symbol

Min

100

Typ

Max

Unit

Test Condition

BCX54

BCX55

BCX56

BCX54

BCX55

BCX56

Collector-Base

—

BV_CBO

I_C= 100µA

Breakdown Voltage

Collector-Emitter

—

BV_CEO

I_C= 10mA

Breakdown Voltage (Note 8)

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

—

BV_EBO

I_CBO

I_E= 100µA

V_CB= 30V

V_CB= 30V, T_A= +150°C

V_EB= 5V

0.1

µA

I_EBO

I_C= 5mA, V_CE= 2V

250

—

All versions

_C= 150mA, V_CE= 2V

Static Forward Current Transfer

Ratio (Note 6)

I_C= 500mA, V_CE= 2V

I_C= 150mA, V_CE= 2V

I_C= 500mA, I_B= 50mA

—

h_FE

10 gain grp

16 gain grp

100

—

160

250

0.5

Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 8)

V_CE(sat)

V_BE(on)

Base-Emitter Turn-On Voltage (Note 8)

—

1.0

I_C= 500mA, V_CE= 2V

_C= 50mA, V_CE= 10V

Transition Frequency

Output Capacitance

150

—

MHz

f = 100MHz

Cobo

V_CB= 10V, f = 1MHz

Notes:

8. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300µs. Duty cycle ≤ 2%.

0.8

250

200

0.6

150

100

0.4

0.2

0.001

0.01

0.1

V_CE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)

Fig. 1 Typical Collector Current

I_C, COLLECTOR CURRENT (A)

Fig. 2 Typical DC Current Gain vs. Collector Current

vs. Collector-Emitter Voltage

3 of 6

www.diodes.com

October 2012

BCX 54 / 55 / 56

Datasheet Number: DS35369 Rev. 5 – 2

1 234 5 6

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与BCX56-16TA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCX5616TC	DIODES	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN, PL	获取价格
BCX56-16-TP	MCC	暂无描述	获取价格
BCX56-16TR	CENTRAL	暂无描述	获取价格
BCX56-16TR13	CENTRAL	Transistor,	获取价格
BCX56-3L	Galaxy Microelectronics	80V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	获取价格
BCX56-6	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SOT-89	获取价格