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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.57 |
| Is Samacsys： | N | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 380 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW61DRLX | ALLEGRO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
| BCW61DS62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW61D-T | RECTRON |
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Transistor |
|
| BCW61DT/R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
|
| BCW61DT116 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW61DT117 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW61DT216 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| BCW61DTA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW61DTC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCW61DTF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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