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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.64 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 4 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW33T216 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
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| BCW33TA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW33TC | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BCW33TR | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCW33TR13 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BCW33TRL | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, BIP General Purpose S |
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| BCW33TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, BIP General Purpose S |
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| BCW34 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device |
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| BCW34X | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 |
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| BCW34XCSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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