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BCR505_07

更新时间： 2022-10-15 10:13:18

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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6页	138K
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NPN Silicon Digital Transistor

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BCR505_07 数据手册

BCR505

DC current gain h = ƒ(I )

Collector-emitter saturation voltage

= 5 V (common emitter configuration)

= ƒ(I ), I /I = 20

CEsat C C B

10 ³

0.5

0.4

0.35

0.3

10 ²

10 ¹

0.25

0.2

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

-40 °C

-25 °C

25 °C

0.15

0.1

10 ⁰

85 °C

125 °C

0.05

10 ^-1

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

10 ⁰

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

10 ⁰

Input on Voltage Vi

= ƒ(I )

Input off voltage V

= ƒ(I )

i(off) C

(on)

= 0.3V (common emitter configuration)

= 5V (common emitter configuration)

10 ¹

10 ²

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

10 ¹

-40 °C

-25 °C

25 °C

85 °C

125 °C

10 ⁰

10 ^-1

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

10 ^-1

10 ⁰

10 ^-5

10 ^-4

10 ^-3

10 ^-2

2007-07-31

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