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BCR20AM-8 PDF预览

BCR20AM-8

更新时间： 2024-02-17 11:14:20
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网栅三端双向交流开关栅极
页数 文件大小 规格书
11页 131K
描述
TRIAC, 400V V(DRM), 20A I(T)RMS, TO-220,

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BCR20AM-8 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：10 V/us最大直流栅极触发电流：30 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大漏电流：2 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：20 A断态重复峰值电压：400 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

BCR20AM-8 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC  
BCR20AM  
MEDIUM POWER USE  
The product guaranteed maximum junction  
temperature 150°C (See warning.)  
NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Tj=125°C/150°C, VDRM applied  
Unit  
Min.  
—
Typ.  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Max.  
2.0/3.0  
1.5  
IDRM  
Repetitive peak off-state current  
On-state voltage  
mA  
V
—
VTM  
Tc=25°C, ITM=30A  
!
—
1.5  
VFGT !  
VRGT !  
VRGT #  
IFGT !  
IRGT !  
IRGT #  
VGD  
V
➁2  
@
#
!
@
#
—
1.5  
Gate trigger voltage  
Tj=25°C, VD=6V, RL=6Ω, RG=330Ω  
V
—
1.5  
V
—
20  
mA  
mA  
mA  
V
➁2  
—
20  
Gate trigger current  
Tj=25°C, VD=6V, RL=6Ω, RG=330Ω  
Tj=125°C/150°C, VD=1/2VDRM  
—
20  
0.2/0.1  
—
—
Gate non-trigger voltage  
Thermal resistance  
➁3 ➁4  
0.8  
Rth (j-c)  
Junction to case  
°C/W  
➁5  
Critical-rate of rise of off-state  
commutating voltage  
—
—
(dv/dt)c  
V/µs  
Tj=125°C/150°C  
10/1  
➁2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.  
➁3. Case temperature is measured at the T2 terminal 1.5mm away from the molded case.  
➁4. The contact thermal resistance Rth (c-f) in case of greasing is 1°C/W.  
➁5. Test conditions of the critical-rate of rise of off-state commutating voltage is shown in he table below.  
Commutating voltage and current waveforms  
(inductive load)  
Test conditions  
SUPPLY  
TIME  
1. Junction temperature  
Tj=125°C/150°C  
VOLTAGE  
(di/dt)  
c
2. Rate of decay of on-atate commutating current  
(di/dt)c=–10A/ms  
MAIN  
CURRENT  
TIME  
TIME  
MAIN  
3. Peak off-state voltage  
VD=400V  
VOLTAGE  
(dv/dt)  
c
VD  
PERFORMANCE CURVES  
MAXIMUM ON-STATE  
CHARACTERISTICS  
RATED SURGE ON-STATE  
CURRENT  
103  
7
240  
200  
160  
120  
5
3
2
102  
7
5
Tj = 150°C  
3
2
101  
7
80  
40  
0
5
Tj = 25°C  
3
2
100  
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0  
100  
2
3
5
7
101  
2
3
5 7  
102  
ON-STATE VOLTAGE (V)  
CONDUCTION TIME  
(CYCLES AT 60Hz)  
Mar. 2002  
1...4567891011

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