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BCR10CS

更新时间： 2024-02-05 22:54:04
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5页 89K
描述
MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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BCR10CS 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.42其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
功耗环境最大值：0.25 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：130 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

BCR10CS 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC  
BCR10CS  
MEDIUM POWER USE  
NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Limits  
Symbol  
Parameter  
Test conditions  
Unit  
Min.  
—
Typ.  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Max.  
2.0  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
mA  
V
IDRM  
Repetitive peak off-state current  
On-state voltage  
Tj=125°C, VDRM applied  
VTM  
Tc=25°C, ITM=15A, Instantaneous measurement  
—
!
@
#
!
@
#
—
VFGT !  
VRGT !  
VRGT #  
IFGT !  
IRGT !  
IRGT #  
VGD  
V
✽2  
—
V
Gate trigger voltage  
Tj=25°C, VD=6V, RL=6Ω, RG=330Ω  
—
V
✽5  
—
30  
30  
30  
—
mA  
mA  
mA  
V
✽5  
✽5  
✽2  
—
Gate trigger current  
Tj=25°C, VD=6V, RL=6Ω, RG=330Ω  
Tj=125°C, VD=1/2VDRM  
—
0.2  
—
Gate non-trigger voltage  
Thermal resistance  
✽4  
1.8  
°C/W  
Rth (j-c)  
Junction to case  
Critical-rate of rise of off-state  
commutating voltage  
✽3  
—
—
V/µs  
(dv/dt)c  
✽2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.  
✽3. The critical-rate of rise of the off-state commutating voltage is shown in the table below.  
✽4. The contact thermal resistance Rth (c-f) in case of greasing is 1.0°C/W.  
✽5. High sensitivity (IGT≤20mA) is also available. (IGT item 1)  
(dv/dt) c  
Voltage  
class  
VDRM  
(V)  
Commutating voltage and current waveforms  
(inductive load)  
Test conditions  
Symbol  
Min.  
—
Unit  
R
SUPPLY  
1. Junction temperature  
VOLTAGE  
TIME  
8
400  
600  
Tj=125°C  
L
R
L
10  
—
10  
2. Rate of decay of on-state commutat-  
ing current  
(di/dt)c=–5A/ms  
(di/dt)c  
MAIN CURRENT  
V/µs  
TIME  
TIME  
MAIN  
VOLTAGE  
3. Peak off-state voltage  
VD=400V  
12  
(dv/dt)c  
VD  
PERFORMANCE CURVES  
MAXIMUM ON-STATE CHARACTERISTICS  
RATED SURGE ON-STATE CURRENT  
102  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
7
5
3
2
Tj = 125°C  
101  
7
5
3
2
Tj = 25°C  
100  
7
5
3
2
10–1  
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8  
100  
2
3 4 5 7 101  
2
3 4 5 7 102  
ON-STATE VOLTAGE (V)  
CONDUCTION TIME  
(CYCLES AT 60Hz)  
Feb.1999  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BCR10CS-12 ETC TRIAC|600V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-263AB

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