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BCR10CS-12

更新时间： 2024-01-01 22:21:43

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描述
TRIAC\|600V V(DRM)\|10A I(T)RMS\|TO-263AB

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BCR10CS-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220S
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.74	外壳连接：	MAIN TERMINAL 2
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	10 A	断态重复峰值电压：	600 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	TRIAC
Base Number Matches：	1

BCR10CS-12 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC

BCR10CS

MEDIUM POWER USE

Refer to the page 6 as to the product guaranteed

maximum junction temperature 150°C

NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

BREAKOVER VOLTAGE VS.

RATE OF RISE OF

OFF-STATE VOLTAGE

COMMUTATION CHARACTERISTICS

160

SUPPLY

VOLTAGE

TYPICAL

EXAMPLE

TYPICAL EXAMPLE

TIME

(di/dt)c

Tj = 125°C

140

120

100

MAIN CURRENT

= 125°C

TIME

MAIN

VOLTAGE

= 4A

TIME

(dv/dt)c

τ = 500µs

= 200V

10¹

f = 3Hz

III QUADRANT

MINIMUM

CHARAC-

TERISTICS

VALUE

I QUADRANT

III QUADRANT

I QUADRANT

10⁰

10¹2 3 5 7 10²2 3 5 7 10³2 3 5 7 10⁴

10⁰

5 7 10¹

5 7 10²

RATE OF RISE OF OFF-STATE VOLTAGE (V/µs)

RATE OF DECAY OF ON-STATE

COMMUTATING CURRENT (A/ms)

GATE TRIGGER CURRENT VS.

GATE CURRENT PULSE WIDTH

GATE TRIGGER CHARACTERISTICS TEST CIRCUITS

6Ω 6Ω

10³

TYPICAL EXAMPLE

FGT I

RGT I

RGT III

10²

TEST PROCEDURE 1 TEST PROCEDURE 2

6Ω

10¹

10⁰

3 4 5 7 10¹

3 4 5 7 10²

GATE CURRENT PULSE WIDTH (µs)

TEST PROCEDURE 3

Mar. 2002

1 2 3 456 7 8...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCR10CS12L	ETC	TRIAC\|600V V(DRM)\|10A I(T)RMS\|TO-263AB	获取价格
BCR10CS-12L	RENESAS	600V, 10A, TRIAC	获取价格
BCR10CS-12L	MITSUBISHI	TRIAC, 600V V(DRM), 10A I(T)RMS,	获取价格
BCR10CS-12LA	RENESAS	Triac Medium Power Use (The product guarantee	获取价格
BCR10CS-12LA-T11	RENESAS	Triac Medium Power Use (The product guarantee	获取价格
BCR10CS-12LB	RENESAS	Triac Medium Power Use (The product guarantee	获取价格