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BCP69-25E6327

更新时间： 2024-01-30 23:04:12

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英飞凌 - INFINEON		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	514K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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BCP69-25E6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.02	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PSSO-G3	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Silver (Ag)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCP69-25E6327 数据手册

BCP69-25

PNP Silicon AF Transistor

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary type: BCP68 (NPN)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

Marking

Pin Configuration

Package

BCP69-25

...-25*

1=B 2=C 3=E 4=C

SOT223

* Marking is the same as type-name

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

Peak collector current, t ≤ 10 ms

100

200

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

tot

T ≤ 114 °C

150

-65 ... 150

°C

Junction temperature

Storage temperature

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 12

Unit

K/W

thJS

2011-09-19

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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