BC860BW

更新时间： 2025-08-03 22:39:27

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管 IOT
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描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC860BW 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	220	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC860BW 数据手册

BC 856W ... BC 860W

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

200 mW

SOT-323

±0.1

Plastic case

0.3

Kunststoffgehäuse

Type

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Code

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.3

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 856W

BC 857W

BC 858W

BC 860W

BC 859W

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

65 V

80 V

45 V

50 V

5 V

30 V

200 mW ¹)

100 mA

200 mA

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I_CM

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_BM

I_EM

T_j

150

ꢀC

T_S

- 65…+ 150 C

ꢀ

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 10

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

ꢀ

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverstärkung h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 k

ꢁ

3.2...8.5 k

ꢁ

6...15 k

60 < 110

ꢁ

18 < 30

ꢀ

30 < 60

ꢀ

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC860BW,115	ETC	获取价格	TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
BC860BW,135	NXP	获取价格	BC859W; BC860W - PNP general purpose transistors SC-70 3-Pin
BC860BW-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC860BW-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC860BWE6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC860BWE6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC860BWE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC860BWQ62702C2302	ETC	获取价格	TRANSISTOR SOT323
BC860C	INFINEON	获取价格	PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain
BC860C	DIOTEC	获取价格	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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