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BC860BW,135

更新时间： 2024-01-15 17:39:30

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	62K
描述
BC859W; BC860W - PNP general purpose transistors SC-70 3-Pin

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BC860BW,135 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.22
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC860BW,135 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

PNP general purpose transistors

BC859W; BC860W

PACKAGE OUTLINE

Plastic surface mounted package; 3 leads

SOT323

v M

M B

detail X

2 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

max

UNIT

1.1

0.8

0.4

0.3

0.25

0.10

2.2

1.8

1.35

1.15

2.2

2.0

0.45

0.15

0.23

0.13

0.1

1.3

0.65

0.2

REFERENCES

JEDEC

EUROPEAN

PROJECTION

OUTLINE

VERSION

ISSUE DATE

IEC

EIAJ

SOT323

SC-70

97-02-28

1999 Apr 12

1 2 3 456 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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