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BC860BW,135

更新时间： 2024-02-09 10:38:17

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恩智浦 - NXP		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	62K
描述
BC859W; BC860W - PNP general purpose transistors SC-70 3-Pin

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BC860BW,135 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.22
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC860BW,135 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

PNP general purpose transistors

BC859W; BC860W

MBH727

400

handbook, full pagewidth

= −5 V

300

200

100

−10

−2

−1

−10

−1

−10

(mA)

BC859BW; BC860BW.

Fig.2 DC current gain; typical values.

MBH728

600

handbook, full pagewidth

500

400

= −5 V

300

200

100

−2

−1

−10

−1

−10

(mA)

BC859CW; BC860CW.

Fig.3 DC current gain; typical values.

1999 Apr 12

1 2 345 6 7

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与BC860BW,135相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC860BWE6327	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BC860BWE6327HTSA1	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BC860BWE6433	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon	获取价格
BC860BWQ62702C2302	ETC	TRANSISTOR SOT323	获取价格
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BC860BW-TAPE-7	NXP	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa	获取价格