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BC860BW,135

更新时间： 2024-01-25 15:10:06

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恩智浦 - NXP		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	62K
描述
BC859W; BC860W - PNP general purpose transistors SC-70 3-Pin

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技术参数
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BC860BW,135 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.22
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC860BW,135 数据手册

NXP Semiconductors

Product data sheet

PNP general purpose transistors

BC859W; BC860W

FEATURES

PINNING

• Low current (max. 100 mA)

• Low voltage (max. 45 V).

DESCRIPTION

base

emitter

APPLICATIONS

collector

• Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and

other audio-frequency equipment.

DESCRIPTION

handbook, halfpage

PNP transistor in a SOT323 plastic package.

NPN complements: BC849W and BC850W.

MARKING

TYPE

NUMBER

MARKING

CODE

TYPE

NUMBER

MARKING

CODE

BC859W

4D∗

4B∗

4C∗

BC860W

4H∗

4F∗

4G∗

BC859BW

BC859CW

BC860BW

BC860CW

Top view

MAM048

Note

1. ∗ = - : Made in Hong Kong.

∗ = t : Made in Malaysia.

Fig.1 Simplified outline (SOT323) and symbol.

LIMITING VALUES

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

open emitter

MIN.

MAX.

UNIT

V_CBO

collector-base voltage

BC859W

−

−30

BC860W

−50

V_CEO

collector-emitter voltage

BC859W

open base

−

−30

BC860W

−45

V_EBO

I_C

emitter-base voltage

collector current (DC)

peak collector current

peak base current

total power dissipation

storage temperature

junction temperature

operating ambient temperature

open collector

−5

−100

−200

200

°C

I_CM

I_BM

P_tot

T_stg

T_j

T_amb≤ 25 °C; note 1

−65

−

+150

150

°C

T_amb

−65

+150

°C

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

1999 Apr 12

123 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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