BC859A

更新时间： 2024-02-16 20:31:36

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英飞凌 - INFINEON		晶体驱动器小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	275K
描述
PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

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BC859A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.09
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	220
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.65 V
Base Number Matches：	1

BC859A 数据手册

PNP Silicon AF Transistors

BC 856 ... BC 860

Features

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30 Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC 846, BC 847,

BC 849, BC 850 (NPN)

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BC 856 A

BC 856 B

BC 857 A

BC 857 B

BC 857 C

BC 858 A

BC 858 B

BC 858 C

BC 859 A

BC 859 B

BC 859 C

BC 860 B

BC 860 C

3As

3Bs

3Es

3Fs

3Gs

3Js

3Ks

3Ls

4As

4Bs

4Cs

4Fs

4Gs

Q62702-C1773

Q62702-C1886

Q62702-C1850

Q62702-C1688

Q62702-C1851

Q62702-C1742

Q62702-C1698

Q62702-C1507

Q62702-C1887

Q62702-C1774

Q62702-C1761

Q62702-C1888

Q62702-C1889

SOT-23

¹⁾For detailed information see chapter Package Outlines.

Semiconductor Group

04.96

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC859-A	SAMSUNG	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,	获取价格
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