BC858S

更新时间： 2024-02-20 03:38:06

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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2页	74K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC858S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-609代码：	e3
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC858S 数据手册

BC856S ... BC858S

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Version 2004-04-09

Dimensions / Maße in mm

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

SOT-363

2^±0.1

6.5 6.5

Plastic case

Kunststoffgehäuse

0.9^±0.1

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Type

Code

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2.4

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

6 = C1 5 = B2 4 = E2

1 = E1 2 = B1 3 = C2

Maximum ratings (T_A= 25/C)

Grenzwerte (T_A= 25/C)

BC856S

65 V

BC857S

45 V

BC858S

30 V

Collector-Emitter-voltage

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

Collector-Base-voltage

80 V

50 V

30 V

Emitter-Base-voltage

5 V

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

310 mW ¹)

100 mA

200 mA

150/C

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

- I_CM

- I_BM

I_EM

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

- 65…+ 150/C

Characteristics (T_j= 25/C)

Kennwerte (T_j= 25/C)

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 :A

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

h_FE

typ. 90 ... 270

110 ... 800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

Kleinsignal-Stromverstärkung

h_fe

typ. 220 ... 600

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

1.6 ... 15 kS

18 ... 110 :S

h_oe

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 ... 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 :s, Schaltverhältnis # 2%

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与BC858S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC858T	INFINEON	获取价格	NPN Silicon AF Transistors
BC858-T	NXP	获取价格	暂无描述
BC858TA	DIODES	获取价格	暂无描述
BC858-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC858-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC858TC	DIODES	获取价格	100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858U	AUK	获取价格	PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC858U	KODENSHI	获取价格	General purpose application

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