5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.01 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.65 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC858ATR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BC858ATRL | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BC858ATRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BC858ATRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor, |
|
| BC858-AU_0_00001 | PANJIT |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
|
| BC858-AU_0_10001 | PANJIT |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
|
| BC858-AU_1_00001 | PANJIT |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
|
| BC858-AU_1_10001 | PANJIT |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
|
| BC858-AU_A0_00001 | PANJIT |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
|
| BC858-AU_A0_10001 | PANJIT |
获取价格 |
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
