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BC858ATRL

更新时间: 2024-01-19 12:36:28
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国巨 - YAGEO /
页数 文件大小 规格书
3页 129K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BC858ATRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.56最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):125JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

BC858ATRL 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858ATRL13 YAGEO

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858ATRPBFREE CENTRAL

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Transistor,
BC858-AU_0_00001 PANJIT

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PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC858-AU_0_10001 PANJIT

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PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
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PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC858-AU_1_10001 PANJIT

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PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
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BC858-AU_A0_10001 PANJIT

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BC858-AU_A1_00001 PANJIT

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