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BC848

更新时间： 2024-02-09 10:08:02

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2页	187K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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BC848 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC848 数据手册

RoHS

B C 8 4 6 - B C 8 4 8

NPN SILICON TRANSISTOR

Features

SOT-23

Power dissipation

P_CM: 0.3 W (Tamb=25^。C)

Pluse Drain

I_CM: 0.1 mA

Reverse Voltage

V_(BR)CBO: BC846 80V

BC847 50V

1.BASE

2.EMITTER

BC848 30V

2.4

1.3

3.COLLECTOR

Operating and storage junction temperature range

T_j, T_stg: -55^。C to +150^。C

Unit:mm

(Ta=25^。C)

Electrical Characteristics

Characteristic

Symbol Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

BC846

V(BR)CBO

IC=10 A, IE=0

Collector-Base Breakdown Voltage BC847

BC848

BC846

Collector-Emitter Breakdown Voltage BC847

BC848

V(BR)CEO

IC=10 mA, IB=0

IE=1 A, IC=0

V(BR)EBO

ICBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

VCB=70V, IE=0

VCB=45V, IE=0

VCB=25V, IE=0

BC846

BC847

BC848

0.1

Collector Cut-off Current

VCB=60V, IE=0

VCB=40V, IE=0

VCB=25V, IE=0

BC846

BC847

BC848

I_CE

0.1

Collector Cut-off Current

I^EBO

VEB=5V, IC=0

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain (Note)

BC846

BC847

BC848

125

220

420

250

475

800

H^FE(1)

VCE=5V, IC=2mA

VCE(sat)

VBE(sat)

f^T

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-emitter saturatio voltage

0.5

IC=100mA, IB=5mA

=5V, I =10mA ,f=100MHz

100

Transition Frequency

MHz

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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