BC847DS

更新时间： 2024-09-28 08:49:47

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恩智浦 - NXP		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	103K
描述
45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor

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BC847DS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	PLASTIC, SC-74, TSOP-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC847DS 数据手册

BC847DS

45 V, 100 mA NPN/NPN general-purpose transistor

Rev. 01 — 25 August 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN/NPN general-purpose transistor pair in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package.

1.2 Features

I Low collector capacitance

I Low collector-emitter saturation voltage

I Closely matched current gain

I Reduces number of components and board space

I No mutual interference between the transistors

I AEC-Q101 qualiﬁed

1.3 Applications

I General-purpose switching and ampliﬁcation

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Per transistor

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_CEO

I_C

collector-emitter voltage open base

collector current

100

450

h_FE

DC current gain

V_CE= 5 V; I_C= 2 mA

200

300

12 3 4 5 6 7...12

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BC847DS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC847BMB	NXP	功能相似	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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