BC847B

更新时间： 2024-02-19 03:10:06

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
2页	126K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC847B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
JESD-609代码：	e3	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

BC847B 数据手册

BC 846 ... BC 850

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 846

65 V

80 V

BC 847/850 BC 848/849

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

B open

E open

C open

V_CE0

V_CB0

V_EB0

P_tot

45 V

50 V

30 V

6 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM

200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

I_BM

- I_EM

T_j

200 mA

150ꢀC

- 65…+ 150ꢀC

T_S

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

V_CE= 5 V, I_C= 10 ꢀA

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 150

200...450

typ. 270

420...800

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

Tested with pulses t_p= 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%

01.11.2003

中文翻译

下载PDF

BC847B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC848B	NXP	类似代替	NPN general purpose transistors

与BC847B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847B(SOT-23)	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN
BC847B,215	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC847B,235	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
BC847B.215	NXP	获取价格	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847B.235	NXP	获取价格	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847B/DG	NXP	获取价格	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847B/DG,215	NXP	获取价格	45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors; Package: SOT23 (TO-236AB); Container: Tape r
BC847B/DG/B3,215	ETC	获取价格	TRANS GEN PURPOSE TO-236AB
BC847B/E8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BC847B/E9	VISHAY	获取价格	Transistor

与BC847B相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

7
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC847B

BC847B 技术参数

BC847B 数据手册

BC847B 替代型号

与BC847B相关器件

与BC847B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC847B

BC847B 技术参数

BC847B 数据手册

BC847B 替代型号

与BC847B相关器件

与BC847B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？