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BC807-16W

更新时间: 2024-09-28 22:27:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
PNP general purpose transistor

BC807-16W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.25
最大集电极电流 (IC):0.5 A基于收集器的最大容量:10 pF
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.7 V
Base Number Matches:1

BC807-16W 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BC807W  
PNP general purpose transistor  
1999 May 18  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 09  

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