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BC807-16W-7

更新时间： 2024-09-29 04:08:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 356K
描述
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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BC807-16W-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.65最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC807-16W-7 数据手册

 浏览型号BC807-16W-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC807-16W-7的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: BC807-16W BC807-25W BC807-40W  
BC807-16W / -25W / -40W  
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Lead-free Green  
Features  
·
·
·
·
·
·
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Epitaxial Planar Die Construction  
For Switching, AF Driver and Amplifier Applications  
Complementary NPN Types Available (BC817-xxW)  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
SOT-323  
Dim  
A
Min  
0.25  
1.15  
2.00  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
A
C
B
Mechanical Data  
C
B
C
·
Case: SOT-323  
D
0.65 Nominal  
B
E
·
Case Material: Molded Plastic. "Green" Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
E
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.18  
8°  
G
H
G
H
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Finish – Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
K
M
J
·
·
Pin Connections: See Diagram  
Marking:  
K
J
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
L
D
E
P/N  
Marking  
K5A  
L
BC807-16W  
BC807-25W  
BC807-40W  
M
K5B  
a
K5C  
All Dimensions in mm  
·
·
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Approximate Weight: 0.006 grams  
@TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-45  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-5.0  
V
-500  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
ICM  
Peak Collector Current  
Peak Emitter Current  
-1000  
-1000  
200  
IEM  
Power Dissipation at TSB = 50°C (Note 3)  
Pd  
R
qJA  
625  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
@TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic (Note 4)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
DC Current Gain  
Current Gain Group -16  
VCE = -1.0V, IC = -100mA  
100  
160  
250  
60  
100  
170  
250  
400  
600  
—
-25  
-40  
hFE  
—
—
Current Gain Group -16  
VCE = -1.0V, IC = -300mA  
-25  
-40  
—
—
IC = -500mA, IB = -50mA  
VCE = -1.0V, IC = -300mA  
VCE(SAT)  
VBE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
—
—
—
—
-0.7  
-1.2  
V
V
VCE = -45V  
-100  
-5.0  
nA  
µA  
ICES  
IEBO  
fT  
Collector-Emitter Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
Gain Bandwidth Product  
—
—
—
—
—
—
VCE = -25V, Tj = 150°C  
VEB = -4.0V  
-100  
—
nA  
MHz  
pF  
VCE = -5.0V, IC = -10mA,  
f = 50MHz  
100  
—
VCB = -10V, f = 1.0MHz  
CCBO  
Collector-Base Capacitance  
12  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001,  
which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
DS30577 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
BC807-16W / -25W / -40W  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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BC807-16W-AU PANJIT

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