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BC807-16W

更新时间: 2024-09-28 22:27:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 95K
描述
PNP Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current gain)

BC807-16W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.1最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

BC807-16W 数据手册

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BC 807-16W  
PNP Silicon AF Transistor  
• For general AF applications  
• High collector current  
• High current gain  
• Low collector-emitter saturation voltage  
• Complementary types: BC817W, BC818W (NPN)  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration  
Package  
SOT-323  
SOT-323  
SOT-323  
SOT-323  
SOT-323  
SOT-323  
BC 807-16W 5As  
BC 807-25W 5Bs  
BC 807-40W 5Cs  
BC 808-16W 5Es  
BC 808-25W 5Fs  
BC 808-40W 5Gs  
Q62702-C2325  
Q62702-C2326  
Q62702-C2327  
Q62702-C2328  
Q62702-C2329  
Q62702-C2330  
1 = B  
1 = B  
1 = B  
1 = B  
1 = B  
1 = B  
2 = E  
2 = E  
2 = E  
2 = E  
2 = E  
2 = E  
3 = C  
3 = C  
3 = C  
3 = C  
3 = C  
3 = C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
BC 807 W  
V
V
V
V
CEO  
CBO  
EBO  
45  
25  
BC 808 W  
Collector-base voltage  
BC 807 W  
50  
BC 808 W  
30  
Emitter-base voltage  
DC collector current  
Peak collector current  
Base current  
5
I
I
I
500  
mA  
A
C
1
CM  
B
100  
mA  
mW  
°C  
Total power dissipation, T = 130°C  
P
250  
S
tot  
j
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
- 65 ... + 150  
stg  
Thermal Resistance  
1)  
Junction ambient  
R
R
215  
80  
K/W  
thJA  
Junction - soldering point  
thJS  
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 0.5cm2 Cu  
Semiconductor Group  
1
Dec-19-1996  

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