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BC559

更新时间： 2024-02-29 04:31:28

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安森美 - ONSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	382K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-92 3L, 10000-BULK

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技术参数
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BC559 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.37
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC559 数据手册

Electrical Characteristics

Values are at T_A= 25°C unless otherwise noted.

Symbol

I_CBO

Parameter

Collector Cut-Off Current

DC Current Gain

Conditions

V_CB= -30 V, I_E= 0

Min.

Typ.

Max.

-15

Unit

h_FE

V_CE= -5 V, I_C= -2 mA

I_C= -10 mA, I_B= -0.5 mA

I_C= -100 mA, I_B= -5 mA

I_C= -10 mA, I_B= -0.5 mA

I_C= -100 mA, I_B= -5 mA

V_CE= -5 V, I_C= -2 mA

110

800

-90

-300

-650

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

-250

-700

-900

-660

V_BE(sat) Collector-Base Saturation Voltage

-600

-750

-800

V_BE(on) Base-Emitter On Voltage

V_CE= -5 V, I_C= -10 mA

V_CE= -5 V, I_C= -10 mA,

f = 10 MHz

f_T

Current Gain Bandwidth Product

150

MHz

C_ob

Output Capacitance

V_CB= -10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

BC556 / BC557 / BC558

V_CE= -5 V, I_C= -200 μA,

f = 1 kHz, R_G= 2 kΩ

BC559 / BC560

BC559

Noise

Figure

1.2

4.0

2.0

V_CE= -5 V, I_C= -200 μA,

R_G= 2 kΩ, f = 30 to 15000 MHz

BC560

h_FEClassification

Classification

h_FE

110 ~ 220

200 ~ 450

420 ~ 800

www.fairchildsemi.com

BC556 / BC557 / BC558 / BC559 / BC560 Rev. 1.7

1 2 345 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC559/D	ETC	Low Noise Transistors	获取价格
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