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BC558

更新时间： 2025-09-15 19:54:47

品牌	Logo	应用领域
FS		PC
页数	文件大小	规格书
1页	103K
描述
POLARITY : PNP; PC : 625; IC : 100; VCBO : 30; VCEO : 30; VCE(SAT) : 0.65; HFE(min) : 120; HFE(max) : 800; FT : 150; Package : TO-92;

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BC558 数据手册

SEMICONDUCTOR

BC556/557/558

TECHNICAL DATA

BC556/BC557/BC558 TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

TO-92

High Voltage

Complement to BC546/BC547/BC548

1. COLLECTOR

2.BASE

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Unit

3. EMITTER

Collector-Base Voltage

BC556

BC557

BC558

-80

-50

-30

-65

V_CBO

V

-45

-30

V

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_EBO

I_C

-5

-100

625

V

mA

mW

℃

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

T_J

150

T_stg

Storage Temperature

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min Typ

Max Unit

Collector-base breakdown voltage

BC556

BC557

BC558

BC556

BC557

BC558

-80

-50

-30

-65

-45

-30

V_CBO

I_C= -100μA, I_E=0

V

Collector-emitter breakdown voltage

V_CEO

V_EBO

I_CBO

I_C= -2mA , I_B=0

V

V

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E= -100μA, I_C=0

-5

BC556

BC557

BC558

BC556

BC557

BC558

BC556

BC557

BC558

BC556

BC557

BC558

BC557A

V_CB=- 70 V, I_E=0

V

V

_CB= -45 V, I_E=0

_CB= -25V, I_E=0

-0.1

-0.1

-0.1

μA

μA

μA

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

V_CE= -60 V, I_B=0

I_CEO

V

V

_CE= -40 V, I_B=0

_CE= -25 V, I_B=0

I_EBO

V_EB= -5 V, I_C=0

120

120

120

120

180

420

800

800

800

220

460

800

h_FE

V_CE=-5V, I_C= -2mA

BC556B/BC557B/BC558B

BC557C

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

I_C=-100mA, I_B= -5mA

I_C= -100mA, I_B=-5mA

-0.65

-1

V

V

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE= -5V, I_C= -10mA

f _T

150

MHz

f = 100MHz

2011. 09. 29

Revision No : 0

1/1

1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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