BC556

更新时间： 2024-01-17 04:26:44

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RECTRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

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BC556 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BC556 数据手册

BC556,A,B,C

BC557,A,B,C

BC558,A,B,C

Electrical Characteristics (Ta=25 ^oC unless otherwise specified)

DESCRIPTION

TYP

SYMBOL TEST CONDITION

UNITS

MIN

MAX

DYNAMICS CHARACTERISTICS

Transition Frequency

Collector output Capacitance

Noise Figure

I_C= 10mA, V_CE= 5V, f = 100MH_Z

f_T

C_cbo

MH_Z

150

V_CB= 10V, f = 1MH_Z

VCE = 5V, I_C= 0.2mA

R_S= 2k ohm, f = 1KH_Z, B= 200H_Z

V_CE= 5V, I_C= 2mA, f= 1kH_Z

Small Signal Current Gain

h_fe

220

330

600

V_CE= 5V, I_C= 2mA, f= 1kH_Z

Input Impedance

h_ie

2.7

4.5

8.7

1.6

3.2

6.0

4.5

8.5

k ohm

x10

Voltage Feedback

Output Admittance

h_re

h_oe

1.5

2.0

3.0

V_CE= 5V, I_C= 2mA, f= 1kH_Z

110

u MHO

www.rectron.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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