BC556

更新时间： 2024-02-04 09:15:54

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RECTRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

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BC556 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BC556 数据手册

BC556,A,B,C

BC557,A,B,C

BC558,A,B,C

Electrical Characteristics (Ta=25 ^oC unless otherwise specified)

TYP

SYMBOL TEST CONDITION

UNITS

MIN

MAX

DESCRIPTION

Collector Emitter Voltage

I_C= 2mA, I_B= 0

I_C= 100uA, I_E= 0

I_E= 100uA, I_C= 0

V_CEO

BC556

BC557

BC558

Collector Base Voltage

V_CBO

BC556

BC557

BC558

V_EBO

I_CBO

Emitter Base Voltage

Collector Cut off Current

_CB= 30V, I_E= 0

V_CB= 30V, I_E= 0, Tj = 150^oC

Collector Cut off Current

I_CES

V_CE= 80V

V_CE= 50V

V_CE= 30V

BC556

BC557

BC558

BC556

BC557

BC558

0.20

V_CE= 80V, Tj = 125^oC

V_CE= 50V, Tj = 125^oC

V_CE= 30V, Tj = 125^oC

I_C= 2mA, V_CE= 5V

0.66

Base Emitter On Voltage

0.55

0.70

0.82

0.30

0.65

V_BE(on)

V_CE(Sat)

V_BE(Sat)

h_FE

I_C= 10mA, V_CE= 5V

I_C= 10mA, I_B= 0.5mA

I_C= 100mA, I_B= 5mA

I_C= 10mA, I_B= 0.5mA

I_C= 100mA, I_B= 5mA

VCE = 5V, I_C= 10uA

0.09

0.25

0.70

0.90

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

150

270

VCE = 5V, I_C= 2mA

BC556

BC557/BC558

110

200

420

475

800

220

450

800

180

290

500

VCE = 5V, I_C= 100mA

120

200

400

www.rectron.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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