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BC239BBU

更新时间： 2024-02-18 22:29:01
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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BC239BBU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.45其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT APPLICABLE
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz

BC239BBU 数据手册

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BC237/238/239  
Switching and Amplifier Applications  
•
Low Noise: BC239  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
: BC237  
: BC238/239  
50  
30  
V
V
CES  
: BC237  
: BC238/239  
45  
25  
V
V
CEO  
EBO  
: BC237  
: BC238/239  
6
5
V
V
I
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
100  
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
CEO  
: BC237  
: BC238/239  
I =2mA, I =0  
45  
25  
V
V
C
B
BV  
Emitter Base Breakdown Voltage  
: BC237  
EBO  
I =1µA, I =0  
6
5
V
V
E
C
: BC238/239  
I
Collector Cut-off Current  
: BC237  
CES  
V
V
=50V, V =0  
=30V, V = 0  
BE  
0.2  
0.2  
15  
15  
nA  
nA  
CE  
CE  
BE  
: BC238/239  
h
DC Current Gain  
V
=5V, I = 2 m A  
1 2 0  
8 0 0  
FE  
CE  
C
V
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =10mA, I =0.5mA  
0.07  
0.2  
0.2  
0.6  
V
V
CE  
BE  
BE  
C
B
I =100mA, I =5mA  
C
B
(sat)  
(on)  
Collector-Base Saturation Voltage  
I =10mA, I =0.5mA  
0.73  
0.87  
0.83  
1.05  
V
V
C
B
I =100mA, I =5mA  
C
B
Base-Emitter On Voltage  
V
=5V, I =2mA  
0.55  
150  
0.62  
0.7  
V
CE  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
V
=3V, I =0.5mA, f=100MHz  
85  
250  
MHz  
MHz  
T
CE  
CE  
C
=5V, I =10mA, f=100MHz  
C
C
C
Output Capacitance  
V
V
V
=10V, I =0, f=1MHz  
3.5  
8
6
pF  
pF  
ob  
ib  
CB  
EB  
CE  
E
Input Base Capacitance  
=0.5V, I =0, f=1MHz  
C
NF  
Noise Figure  
: BC237/238  
: BC239  
=5V, I =0.2mA,  
C
f=1KHz R =2KΩ  
V
R =2KΩ, f=30~15KHz  
2
10  
4
4
dB  
dB  
dB  
G
=5V, I =0.2mA  
CE  
C
: BC239  
G
h
Classification  
FE  
Classification  
A
B
C
h
120 ~ 220  
180 ~ 460  
380 ~ 800  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
1234

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