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BB659H7902XTSA1

更新时间： 2024-10-01 21:20:43

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	853K
描述
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 38.3pF C(T), 30V, Silicon, SCD-80, 2 PIN

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BB659H7902XTSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.7
其他特性：	LOW INDUCTANCE	最小击穿电压：	30 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	5.26%
最小二极管电容比：	9.8	标称二极管电容：	38.3 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

BB659H7902XTSA1 数据手册

BB639/BB659...

Silicon Variable Capacitance Diodes

• For tuning of extended frequency band

in VHF TV / VTR tuners

• High capacitance ratio

• Low series inductance

• Low series resistance

• Excellent uniformity and matching due to

"in-line" matching assembly procedure

• Pb-free (RoHS compliant) package

BB639

BB659

Type

BB639

BB659

Package

SOD323

SCD80

Configuration

single

L (nH) Marking

1.8

0.6

yellow S

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

( R ≥ 5kΩ )

°C

Forward current

Operating temperature range

Storage temperature

-55 ... 150

stg

2011-06-15

12 3 4 5 6 7

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