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BB659C02VH7908XT

更新时间： 2024-10-02 03:39:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	900K
描述
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 39pF C(T), 35V, Silicon, SC-79, 2 PIN

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BB659C02VH7908XT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SC-79, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	最小击穿电压：	35 V
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	7.01%
最小二极管电容比：	9.5	标称二极管电容：	39 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	VERY HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

BB659C02VH7908XT 数据手册

BB639C/BB659C...

Silicon Variable Capacitance Diode

• For tuning of extended frequency band

in VHF TV / VTR tuners

• High capacitance ratio

• Low series inductance

• Low series resistance

• Excellent uniformity and matching due to

"in-line" matching assembly procedure

• Pb-free (RoHS compliant) package

BB639C

BB659C/-02V

Type

BB639C

BB659C

Package

SOD323

SCD80

SC79

Configuration

single

L (nH) Marking

1.8

0.6

yellow S

BB659C-02V

single

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

( R ≥ 5kΩ )

°C

Forward current

Operating temperature range

Storage temperature

-55 ... 150

stg

2011-06-15

12 3 4 5 6 7 8

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