Datasheet > BAT754,215

BAT754,215

更新时间： 2024-02-29 01:23:16

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	243K
描述
BAT754 series - Schottky barrier diodes TO-236 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAT754,215 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-236
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	3.21
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.42 V	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BAT754,215 数据手册

BAT754 series

NXP Semiconductors

Schottky barrier diodes

5. Limiting values

Table 5.

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol

Per diode

V_R

Parameter

Conditions

Min

Max

Unit

reverse voltage

forward current

I_F

200

300

I_FRM

repetitive peak forward

current

t_p 1 s;   0.5

[1]

I_FSM

non-repetitive peak

forward current

sine wave;

t_p< 8.3 ms

600

Per device; one diode loaded

T_j

junction temperature

ambient temperature

storage temperature

125

C

T_amb

T_stg

55

65

+125

+150

[1] T_j= 25 C before surge.

6. Thermal characteristics

Table 6.

Symbol

Thermal characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Per device; one diode loaded

R_th(j-a)thermal resistance from

junction to ambient

[1]

in free air

500

K/W

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

7. Characteristics

Table 7.

Characteristics

T_amb= 25 C unless otherwise specified.

Symbol Parameter Conditions

Min

Typ

Max Unit

[1]

V_F

forward voltage

I_F= 0.1 mA

I_F= 1 mA

200

260

340

420

A

I_F= 10 mA

I_F= 30 mA

I_F= 100 mA

V_R= 25 V

600

[1]

I_R

reverse current

C_d

diode capacitance

f = 1 MHz; V_R= 1 V

[1] Pulse test: t_p 300 s;   0.02.

BAT754_SER

All information provided in this document is subject to legal disclaimers.

Product data sheet

Rev. 3 — 9 October 2012

3 of 10

1 234 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

BAT754,215 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAT754A	NEXPERIA	类似代替	Schottky barrier diodesProduction
BAT754	NEXPERIA	类似代替	Schottky barrier diodesProduction
BAT54LT1G	ONSEMI	功能相似	Schottky Barrier Diodes

与BAT754,215相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAT754/T1	ETC	获取价格	DIODE SCHOTTKY
BAT754A	KEXIN	获取价格	Schottky barrier (double) diodes
BAT754A	NEXPERIA	获取价格	Schottky barrier diodesProduction
BAT754A	NXP	获取价格	Schottky barrier double diodes
BAT754A	TYSEMI	获取价格	Ultra high switching speed Guard ring protected Small plastic SMD package Low diode capaci
BAT754A,215	ETC	获取价格	DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23
BAT754A/T1	ETC	获取价格	DIODE SCHOTTKY
BAT754C	KEXIN	获取价格	Schottky barrier (double) diodes
BAT754C	TYSEMI	获取价格	Ultra high switching speed Guard ring protected Small plastic SMD package Low diode capaci
BAT754C	NEXPERIA	获取价格	Schottky barrier diodesProduction

与BAT754,215相关文章

NE5532P芯片资料：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-13

1
解读MMBT5401数据手册：电气参数及替换型号推荐
2024-06-13

2
深入解读BAV70数据手册：特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-13

4
74HC595D芯片引脚图及功能、参数介绍、替代型号推荐
2024-06-13

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT754,215

BAT754,215 技术参数

BAT754,215 数据手册

BAT754,215 替代型号

与BAT754,215相关器件

与BAT754,215相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BAT754,215

BAT754,215 技术参数

BAT754,215 数据手册

BAT754,215 替代型号

与BAT754,215相关器件

与BAT754,215相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？