BAT43

更新时间： 2024-09-25 04:08:47

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固锝 - GOOD-ARK		整流二极管信号二极管
页数	文件大小	规格书
1页	52K
描述
Small-Signal Diode

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BAT43 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
最大非重复峰值正向电流：	0.75 A	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

BAT43 数据手册

BAT42 and BAT43

Small-Signal Diode

Schottky Diodes

Features

ꢀ For general purpose applications.

ꢀ These diodes feature very low turn-on voltage and fast

switching. These devices are protected by a PN junction guard

ring against excessive voltage, such as electrostatic dis-

charges

ꢀ This diode is also available in the MiniMELF case with type

designation LL42 to LL43.

Mechanical Data

ꢀ Case: DO-35 Glass Case

ꢀ Weight: approx. 0.13g

Maximum Ratings and Thermal Characteristics

(Ratings at 25^oC ambient temperature unless otherwise specified.)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Repetitive peak reverse voltage

V_RRM

I_F

Volts

Forward continuous current at T_amb=25^oC

200 ⁽¹⁾

Repetitive peak forward Current

I_FRM

500 ⁽¹⁾

at tp<1s, δ<0.5, T_amb=25^oC

Surge forward current at t_p<10ms, T_amb=25^oC

Power dissipation ⁽¹⁾at T_amb=65^oC

Thermal resistance junction to ambient air

Junction temperature

I_FSM

P_tot

4 ⁽¹⁾

200 ⁽¹⁾

Amps

^oC/W

^oC

R_θJA

300 ⁽¹⁾

125

Ambient operating temperature range

Storage temperature range

T_amb

T_S

-65 to +125

-65 to +150

^oC

Electrical Characteristics

(T_J=25^oC unless otherwise noted.)

Parameter

Symbol

V_(BR)R

I_R

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse breakdown voltage

I_R=100uA (pulsed)

Volts

Leakage current

pulse test t_p<300us, δ<2%

V_R=25V

0.5

100

V_R=25V, T=100^OC

BAT42, 43

BAT42

BAT43

I_F=200mA

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=2mA

1.0

0.40

0.65

0.33

0.45

Forward voltage

pulse test t_p<300us, δ<2%

V_F

0.26

Volt

BAT43

I_F=15mA

Capacitance

C_tot

t_rr

V_R=1V, f=1MHz

I_F=10mA, I_R=10mA,

Reverse recovery time

Detection efficiency

I =1mA, R_L=100Ω

R_L=15KΩ, C_L=300pF

f=45MHz, V_RF=2V

η_ν

Notes:

1. Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature.

680

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAT43-A	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, Silicon,
BAT43-A-F	DIODES	获取价格	Rectifier Diode,
BAT43-AP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
BAT43AR1	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT43AR2	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT43AZ1	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT43AZ2	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE
BAT43-B	DIODES	获取价格	暂无描述
BAT43-B	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
BAT43B2	STMICROELECTRONICS	获取价格	0.2A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE

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