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BAS81,115 PDF预览

BAS81,115

更新时间: 2024-10-01 15:28:27
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 43K
描述
BAS81

BAS81,115 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, SMD, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.72外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值正向电流:0.5 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.03 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.2 µA
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BAS81,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
lfpage  
BAS81; BAS82; BAS83  
Schottky barrier diodes  
1998 Jun 24  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Sep 30  

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