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BAS70W

更新时间： 2024-02-08 16:38:25
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
1页 56K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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BAS70W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, SMD, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.53
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.41 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.07 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS70W 数据手册

  
BAS70W/ -04/ -05/ -06  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
·
·
·
Low Turn-on Voltage  
Fast Switching  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
SOT-323  
Dim  
A
Min  
0.30  
1.15  
2.00  
Max  
0.40  
1.35  
2.20  
A
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
B
TOP VIEW  
C
B
C
Mechanical Data  
D
0.65 Nominal  
·
·
Case: SOT-323, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See Diagrams  
Marking: See Diagrams  
Mounting Position: Any  
Approx. Weight: 0.006 grams  
E
0.30  
1.20  
1.80  
0.0  
0.40  
1.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
D
E
G
H
G
H
·
·
·
·
J
M
K
K
0.90  
0.25  
0.10  
J
L
L
M
All Dimensions in mm  
BAS70W-06 Marking: K76  
BAS70W-04 Marking: K74  
BAS70W-05 Marking: K75  
BAS70W Marking: K73  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @ T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
BAS70W  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
70  
V
VR(RMS)  
IF  
RMS Reverse Voltage  
49  
70  
V
Forward Continuous Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ tp < 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
mA  
mA  
mW  
K/W  
°C  
IFSM  
Pd  
100  
200  
RqJA  
Tj  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
625  
-55 to +125  
-65 to +150  
TSTG  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 10mA  
70  
—
—
tp <300µs, IF = 1.0mA  
tp <300µs, IF = 15mA  
410  
1000  
VFM  
Forward Voltage  
—
mV  
IRM  
Cj  
tp < 300µs, VR = 50V  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
Peak Reverse Current  
Junction Capacitance  
¾
¾
100  
2.0  
nA  
pF  
IF = IR = 10mA to IR = 1.0mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
—
5.0  
ns  
Notes:  
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Test period <3000ms.  
DS30113 Rev. A-2  
1 of 1  
BAS70W/ -04/ -05/ -06  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS70-W DIODES

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 		Sub-miniature Schottky Diodes & Arrays in
BAS70W,115 NXP

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 		Schottky Diode
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 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2

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