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BAS70W PDF预览

BAS70W

更新时间： 2024-01-24 21:38:52
品牌 Logo 应用领域
SECOS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 217K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Diodes

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BAS70W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, SMD, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.53
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.41 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：0.07 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：70 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAS70W 数据手册

 浏览型号BAS70W的Datasheet PDF文件第2页 
BAS70W/-04W/-05W/-06W  
VOLTAGE 70 V, 70 mA  
Surface Mount Schottky Barrier Diodes  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-323  
FEATURES  
z Low Turn-on voltage  
A
L
z Low Forward Voltage - 0.75V(Max) @ IF = 10 mA  
z Very Low Capacitance - Less Than 2.0pF @ 0V  
For high speed switching application, circuit protection  
3
3
Top View  
C B  
1
1
2
2
K
F
E
D
MECHANICAL DATA  
H
J
G
z Case: SOT-323, Molded Plastic  
z Terminals: Solderable per MIL-STD-202,Method 208  
z Polarity: See Diagrams Below  
z Weight: 0.004 grams (approx.)  
z Mounting Position: Any  
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
0.100 REF.  
0.525 REF.  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
2.20  
2.45  
1.35  
1.10  
A
B
C
D
2.00  
2.15  
1.15  
0.90  
G
H
J
0.08  
0.15  
K
-
-
E
F
1.20  
0.20  
1.40  
0.40  
L
0.525 TYP.  
BAS70W Marking: K7C, BE  
BAS70-04W Marking: K74  
BAS70-05W Marking: K75  
BAS70-06W Marking: K76  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 150°C unless otherwise noted)  
TYPE NUMBER  
SYMBOL  
VALUES  
UNITS  
Reverse Voltage  
VR  
70  
225  
V
Forward Power Dissipation  
@ TA = 25°C  
mW  
PF  
Derate above 25°C  
1.8  
mW / °C  
Forward Continuous Current  
Single Forward Current  
IFM  
IFSM  
70  
mA  
t ≦ 10 m  
100  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55~150  
℃
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
PARAMETERS  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
Reverse breakdown voltage  
Diode capacitance  
V(BR)R  
CT  
IR= 10µA  
VR=0, f=1MHz  
VR=50V  
70  
-
-
V
2.0  
pF  
0.1  
Reverse voltage leakage current  
IR  
-
μA  
VR=70V  
10  
IF=1.0 mA  
IF=10 mA  
IF=15 mA  
410  
750  
1000  
Forward voltage  
VF  
-
mV  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
01-June-2005 Rev. B  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS70-W DIODES

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 		Sub-miniature Schottky Diodes & Arrays in
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 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, Silicon, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2

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