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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> BAS70DW-05
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BAS70DW-05

更新时间： 2024-01-30 20:21:16
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 59K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS

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BAS70DW-05 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.56
配置：2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G6
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.07 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W最大重复峰值反向电压：70 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

BAS70DW-05 数据手册

  
BAS70TW /DW-04 /  
DW-05 /DW-06 /BRW  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE ARRAYS  
Features  
·
·
·
·
Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
Ultra-Small Surface Mount Package  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
SOT-363  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
A
B
C
C
B
D
0.65 Nominal  
Mechanical Data  
E
0.30  
1.80  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
G
H
·
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
H
J
·
·
Orientation: See Diagrams Below  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
K
J
M
K
0.90  
0.25  
0.10  
L
L
D
F
M
All Dimensions in mm  
AC  
1
AC  
C2  
A1  
C2  
A2  
C2  
C2  
C1  
C2  
C3  
C1  
A2  
C1  
A2  
1
AC  
2
AC  
2
A2  
A1  
A2  
A3  
C1  
C1  
A1  
C1  
A2  
C2  
A1  
A1  
A1  
BAS70BRW  
Marking: K75  
BAS70DW-04*  
Marking: K74  
BAS70TW  
Marking: K73  
BAS70DW-06*  
Marking: K76  
BAS70DW-05*  
Marking: K71  
*Symmetrical configuration, no orientation indicator.  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
70  
V
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
49  
70  
V
mA  
mA  
mW  
K/W  
Forward Continuous Current (Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t < 1.0s  
Power Dissipation (Note 1)  
IFSM  
Pd  
100  
200  
625  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
-55 to +125  
-65 to +125  
Tj  
TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
tp <300µs, IF = 1.0mA  
tp <300µs, IF = 15mA  
410  
1000  
mV  
mV  
VFM  
Maximum Forward Voltage  
¾
tp < 300µs, VR = 50V  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
IRM  
Cj  
Maximum Peak Reverse Current  
Junction Capacitance  
¾
¾
100  
2.0  
nA  
pF  
IF = IR = 10mA to IR = 1.0mA,  
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W  
trr  
Reverse Recovery Time  
¾
5.0  
ns  
Notes:  
1. Valid Provided that terminals are kept at ambient temperature.  
DS30158 Rev. E-1  
1 of 1  
BAS70TW /DW-04 /DW-05 /DW-06 /BRW  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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