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BAS40_05

更新时间: 2024-01-10 21:02:19
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德欧泰克 - DIOTEC 二极管
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2页 138K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes

BAS40_05 数据手册

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BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06  
BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06  
Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes  
Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage  
Version 2005-06-21  
Power dissipation – Verlustleistung  
310 mW  
40 V  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
2.9±0.1  
3
1.1  
0.4  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
SOT-23  
(TO-236)  
Type  
Code  
Weight approx. – Gewicht ca.  
0.01 g  
2
1
1.9  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings (TA = 25°C)  
per diode / pro Diode  
Power dissipation – Verlustleistung 1)  
Grenzwerte (TA = 25°C)  
BAS40-series  
310 mW 2)  
Ptot  
IFAV  
Max. average forward current (dc)  
Dauergrenzstrom  
200 mA 2)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
IFRM  
IFSM  
300 mA 2)  
0.6 A  
Non repetitive peak forward surge current  
Stoßstrom-Grenzwert  
tp 1 s  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM  
40 V  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-55...+150°C  
-55…+150°C  
Characteristics (Tj = 25°C)  
Kennwerte (Tj = 25°C)  
Forward voltage 3)  
IF = 1 mA  
IF = 10 mA  
IF = 40 mA  
VF  
VF  
VF  
< 380 mV  
< 500 mV  
< 1.00 V  
Durchlass-Spannung 3)  
Leakage current  
Sperrstrom  
VR = 30 V  
VR = 40 V  
IR  
IR  
< 200 nA  
< 10 µA  
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
CT  
5 pF  
Reverse recovery time – Sperrverzug  
trr  
< 5 ns  
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 400 K/W 2)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
1
2
Total power dissipation of both diodes Summe der Verlustleistungen beider Dioden  
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal  
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss  
3
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis 2%  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
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