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BAS385-GS18

更新时间： 2024-01-05 11:33:30

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	166K
描述
DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, GLASS, MICROMELF-2, Signal Diode

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BAS385-GS18 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.82
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.24 V	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	5 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

BAS385-GS18 数据手册

BAS385

Vishay Semiconductors

VISHAY

Small Signal Schottky Barrier Diode

Features

• Integrated protection ring against static discharge

• Very low forward voltage

Applications

Applications where a very low forward voltage

is required

9612315

Mechanical Data

Case: MicroMELF Glass Case

Weight: approx. 12 mg

Cathode Band Color: Black

Packaging Codes/Options:

GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box

GS08 / 2.5 k per 7" reel (8 mm tape), 12.5 k/box

Parts Table

Part

Type differentiation

= 30 V

Ordering code

Remarks

BAS385

BAS385-GS18 or BAS385-GS08

Tape and Reel

Absolute Maximum Ratings

= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

amb

Test condition

Symbol

Value

Unit

Reverse voltage

Peak forward surge current

Repetitive peak forward current

Forward current

t = 10 ms

FSM

≤ 1 s

300

200

FRM

Average forward current

= 25 V

FAV

RWM

Thermal Characteristics

= 25 °C, unless otherwise specified

amb

Parameter

Test condition

Symbol

Value

320

Unit

K/W

Junction ambient

on PC board

50 mm x 50 mm x 1.6 mm

thJA

Junction temperature

125

°C

Storage temperature range

- 65 to + 150

stg

Document Number 85504

Rev. 1.8, 27-Apr-04

www.vishay.com

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